三星 我们新的超高速闪存将智能手机存储速度提高了一倍

三星已经开始批量生产其新的超高速512GB eUFS 3.0芯片，并称它将在今年晚些时候推出1TB版本。

该芯片将成为业界首款面向移动设备的512GB嵌入式通用闪存(eUFS)3.0，速度是eUFS 2.1的两倍。

三星于2017年首次推出其512GB eUFS存储芯片，其2016年eUFS容量翻了一番，2015年第一批eUFS 2.0芯片的容量翻了两番。

与512GB eUFS 3.0芯片的主要区别在于速度增强，提供2,100兆字节/秒(MB / s)的顺序读取速率，或者是eUFS 2.1的两倍。

根据三星的说法，512GB eUFS 3.0存储芯片的速度是SATA固态硬盘的四倍，比大多数microSD卡快20倍。

更高的速度应该允许智能手机在三秒钟内将3.7GB全高清电影传输到PC的SSD。同时，顺序写入速度提高了50%，达到410MB / s。

三星将于本月推出512GB和128GB eUFS 3.0存储芯片，并将在2019年下半年推出1TB和256GB型号。

512GB eUFS 3.0由8个512千兆位V-NAND和一个控制器组成。它具有随机读写速度，比eUFS 2.1规格快36%，比普通microSD卡快630倍。

“开始大规模生产我们的eUFS 3.0系列产品为我们在下一代移动市场带来了巨大的优势，我们正在为其提供仅在超薄笔记本电脑上提供的内存读取速度，”Cheol Choi执行副总裁表示。三星电子的内存销售和营销。

“随着我们扩展我们的eUFS 3.0产品，包括今年晚些时候的1TB版本，我们预计将在加速优质移动市场的发展势头中发挥重要作用。”

三星在1月份推出了1TB eUFS 2.1内存，在其新的1TB Galaxy S10型号中首次登陆。