闪存是Fujio Masuoka在大约1980年在东芝工作时开发的电子固态存储介质.Masuoka于1987年首次公开展示了该发明,英特尔于1988年生产出第一个商用闪存芯片。
Masuoka的发明涵盖两种相关类型的非易失性存储器:NOR和NAND。NOR闪存需要更长的写入或擦除时间,但提供字节级随机访问,使其成为只读存储器(ROM)芯片的合适替代品。NAND闪存提供更快的写入和擦除时间,以及更密集的存储功能。NAND闪存以块级写入和读取,因此不适合需要字节级访问的嵌入式用例。
通常,NOR闪存仅限于任务关键型应用程序和嵌入式用例,例如计算机的固件或嵌入式电子设备。闪存卡和固态硬盘(SSD)使用NAND闪存进行大容量存储。