这种结构是所谓的“带隙”。电子需要跳过这个间隙才能成为传导电子,这使得它们能够承载电流。但石墨烯自然没有带隙。
普渡大学的研究人员创造并扩大了石墨烯的带隙,达到创纪录的2.1电子伏特。为了起到诸如硅之类的半导体的作用,带隙需要至少是0.5电子伏特的先前记录。
“这是第一次努力实现如此高的带隙,而不影响石墨烯本身,例如通过化学掺杂。我们纯粹对材料施加压力,”普渡大学工业工程教授Gary Cheng说,他的实验室调查了各种使石墨烯对商业应用更有用的方法。
带隙的存在允许半导体材料在绝缘或传导电流之间切换,这取决于它们的电子是否被推过带隙。
研究人员表示,超过0.5电子伏特可以为下一代电子设备中的石墨烯带来更多潜力。他们的工作出现在Advanced Materials的一期。
“过去的研究人员通过简单地拉伸石墨烯来打开带隙,但单独拉伸并不会使带隙变宽。你需要永久性地改变石墨烯的形状以保持带隙开放,”Cheng说。
Cheng和他的合作者不仅保持了石墨烯中的带隙,而且还使其可以将间隙宽度从零调整到2.1电子伏特,使科学家和制造商可以根据他们的需要选择使用石墨烯的某些特性。要做的材料。
研究人员利用激光冲击印迹技术在石墨烯中使带隙结构永久化,Cheng于2014年与哈佛大学,马德里高等研究院和加州大学圣地亚哥分校的科学家一起开发。
在这项研究中,研究人员使用激光产生冲击波脉冲,穿透下面的石墨烯片。激光冲击将石墨烯应变到沟槽状模具上 - 永久地塑造它。调节激光功率可调节带隙。
Cheng说,虽然该技术还远未将石墨烯放入半导体器件中,但该技术在利用材料的光学,磁性和热性能方面具有更大的灵活性。