三星准备3nm芯片以改善智能手机电池寿命

三星即将推出的3纳米芯片制造工艺可能使智能手机处理器的功耗降低50%。

三星今天表示，预计从2021年开始大规模生产3nm芯片。3nm芯片的改进版本将在明年推出。

该公司半导体业务的高管对记者表示，这项技术有望生产出比三星目前的7nm芯片制造工艺能耗低50%的处理器，同时还能提高35%的性能。就表面积而言，3nm工艺将使芯片缩小约45%。

设备制造商是否会使用该技术是另一回事。在台湾台积电为苹果，高通，英伟达和AMD生产芯片的时候，三星正在开发其在计算机处理器行业的领先地位。在会议期间，该公司本身表示台积电的半导体业务是其自身规模的三倍。

但是，三星希望借助即将推出的3nm芯片制造技术吸引更多的客户。为了生产下一代芯片，该公司依靠其“全栅”晶体管架构，该架构是FinFET技术的后继产品。

三星代工市场主管Ryan Lee表示：“我们的研究中心一直在努力寻找3nm以上功率降低的新方法。” “他们的解决方案是最好的方法。