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IRF540N的使用方法是:将IRF540N接入开关电路中即可发挥N型场效应管的作用。
三个腿从正面看分别是G、D、T。
G的作用是控制极,D的作用是与散热孔铁片相连,T的作用是用来接地。
由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。
n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。
n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
扩展资料:IRF540N晶体管的工作原理:当vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,源极之间仍无导电沟道出现。
vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多。
当vGS达到某一数值时,这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层,且与两个N+区相连通,源极间形成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反。
故又称为反型层。
vGS越大,作用于半导体表面的电场就越强,吸引到P衬底表面的电子就越多,导电沟道越厚,沟道电阻越小。
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