氮化镓(GaN)结构与金刚石类似是一种半导体材料因其具有良好的电学特性广泛的应用于电子行业近年智能手机的快速充电器中就使用了氮化镓材料(1)基态N原子的电子排布式为___________；基态Ga原子核外电子能量最高的电子占据的能级为___________(2)GaN、GaP、GaAs熔点如下表所示分析其变化原因___________晶体GaNGaPGaAs熔点\/℃170014801238(3)GaN可在高温下由金属Ga和NH3反应制取N原子和H原子可以形成多种微粒如：NH3、NH、NH、N2H4、N2

想必现在有很多小伙伴对于氮化镓(GaN)结构与金刚石类似，是一种半导体材料，因其具有良好的电学特性，广泛的应用于电子行业，近年智能手机的快速充电器中就使用了氮化镓材料。(1)基态N原子的电子排布式为___________；基态Ga原子核外电子能量最高的电子占据的能级为___________。(2)GaN、GaP、GaAs熔点如下表所示，分析其变化原因___________。晶体GaNGaPGaAs熔点\/℃170014801238(3)GaN可在高温下由金属Ga和NH3反应制取。N原子和H原子可以形成多种微粒，如：NH3、NH、NH、N2H4、N2H、N2H等。在N2H中，N原子的杂化方式为___________。与N2H互为等电子体的物质是___________(写出一种)；在N2H中存在的化学键类型有___________。a．极性键     b．非极性键     c．离子键      d.配位键(4)GaN的晶胞结构如图所示：其中与Ga原子最近的N原子所构成的空间结构为___________；若GaN晶体的密度为6.1 g\/cm3，阿伏加德罗常数为NA，则距离最近的两个N原子间的距离为___________nm(写出表达式即可)。","title_text":"氮化镓(GaN)结构与金刚石类似，是一种半导体材料，因其具有良好的电学特性，广泛的应用于电子行业，近年智能手机的快速充电器中就使用了氮化镓材料。(1)基态N原子的电子排布式为___________；基态Ga原子核外电子能量最高的电子占据的能级为___________。(2)GaN、GaP、GaAs熔点如下表所示，分析其变化原因___________。晶体GaNGaPGaAs熔点\/℃170014801238(3)GaN可在高温下由金属Ga和NH3反应制取。N原子和H原子可以形成多种微粒，如：NH3、NH、NH、N2H4、N2H、N2H等。在N2H中，N原子的杂化方式为___________。与N2H互为等电子体的物质是___________(写出一种)；在N2H中存在的化学键类型有___________。a．极性键     b．非极性键     c．离子键      d.配位键(4)GaN的晶胞结构如图所示：其中与Ga原子最近的N原子所构成的空间结构为___________；若GaN晶体的密度为6.1 g\/cm3，阿伏加德罗常数为NA，则距离最近的两个N原子间的距离为___________nm(写出表达式即可)。方面的知识都比较想要了解，那么今天小好小编就为大家收集了一些关于氮化镓(GaN)结构与金刚石类似，是一种半导体材料，因其具有良好的电学特性，广泛的应用于电子行业，近年智能手机的快速充电器中就使用了氮化镓材料。(1)基态N原子的电子排布式为___________；基态Ga原子核外电子能量最高的电子占据的能级为___________。(2)GaN、GaP、GaAs熔点如下表所示，分析其变化原因___________。晶体GaNGaPGaAs熔点\/℃170014801238(3)GaN可在高温下由金属Ga和NH3反应制取。N原子和H原子可以形成多种微粒，如：NH3、NH、NH、N2H4、N2H、N2H等。在N2H中，N原子的杂化方式为___________。与N2H互为等电子体的物质是___________(写出一种)；在N2H中存在的化学键类型有___________。a．极性键     b．非极性键     c．离子键      d.配位键(4)GaN的晶胞结构如图所示：其中与Ga原子最近的N原子所构成的空间结构为___________；若GaN晶体的密度为6.1 g\/cm3，阿伏加德罗常数为NA，则距离最近的两个N原子间的距离为___________nm(写出表达式即可)。","title_text":"氮化镓(GaN)结构与金刚石类似，是一种半导体材料，因其具有良好的电学特性，广泛的应用于电子行业，近年智能手机的快速充电器中就使用了氮化镓材料。(1)基态N原子的电子排布式为___________；基态Ga原子核外电子能量最高的电子占据的能级为___________。(2)GaN、GaP、GaAs熔点如下表所示，分析其变化原因___________。晶体GaNGaPGaAs熔点\/℃170014801238(3)GaN可在高温下由金属Ga和NH3反应制取。N原子和H原子可以形成多种微粒，如：NH3、NH、NH、N2H4、N2H、N2H等。在N2H中，N原子的杂化方式为___________。与N2H互为等电子体的物质是___________(写出一种)；在N2H中存在的化学键类型有___________。a．极性键     b．非极性键     c．离子键      d.配位键(4)GaN的晶胞结构如图所示：其中与Ga原子最近的N原子所构成的空间结构为___________；若GaN晶体的密度为6.1 g\/cm3，阿伏加德罗常数为NA，则距离最近的两个N原子间的距离为___________nm(写出表达式即可)。方面的知识分享给大家，希望大家会喜欢哦。

1s22s22p34pGaN、GaP、GaAs都是原子晶体，原子半径N＜P＜As，键长Ga—N＜Ca—P＜Ga—As。

键能Ga—N＞Ca—P＞Ga—As，故GaN、GaP、GaAs熔点逐渐降低sp3杂化C2H6(或Si2H6)ab正四面体。

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