三星推12奈米级制程DDR5 DRAM

三星电子1日宣布，成功开发业界首款採用12奈米制程技术打造的16GB DDR5 DRAM，并携手超微（AMD）完成产品的相容性评估。

三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Jooyoung Lee表示，三星12奈米级DRAM将成为提升DDR5 DRAM市场普及率的关键动力。新款DRAM具备卓越的性能与能效，可望为新世代运算、数据中心、AI驱动系统等领域的永续营运奠定基石。

AMD资深副总裁兼任企业研究员暨客户、运算与绘图技术长Joe Macri表示，创新有赖于同业伙伴的密切合作，携手推动技术发展，该公司很高兴与三星再次合作，尤其是推出在「Zen」平台上经过优化与验证的DDR5记忆体产品。此项技术进展的成功关键，在于採用可提升电池电容量的新型高介电（high-k）材料，以及可改善关键电路特性的专有设计技术。新款DRAM整合先进、多层极紫外光（EUV）微影制程，并具备业界最高的裸晶密度，可使晶圆生产率提升20％。

在採用最新DDR5标准的优势下，三星12奈米级DRAM可提供高达7.2 Gbps的传输速度。经换算，相当于能在1秒内处理两部30 GB檔案大小的UHD电影。